- Title
- A Compact Model for Electrical Simulation of MOS Transistor with Gate Oxide Short Defect
- Creators - without role
- Michel Renovell - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniquesJean-Marc J.-M. Galliere - Université de Montpellier, Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Mtp - LIRMMFlorence Azaïs - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniquesYves Bertrand - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniquesJean-Michel Portal - Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence
- Identifiers
- 9946937409311
- Academic Unit
- Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Mtp - LIRMM
- Language
- English
- Resource Type
- Report
- Local Fields
- lirmm-00109221
Report
A Compact Model for Electrical Simulation of MOS Transistor with Gate Oxide Short Defect
2004
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