Transistor Magnétique à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dispositif et procédé associés

Patent

03/01/2019

Abstract

TEGFETTrasistorGrilleAccepteurs

le M-TEGFET, est un nouveau type de transistor, sans grille, fonctionnant grâce à un effet magnétique.

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Title: Transistor Magnétique à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dispositif et procédé associés
Creators - without role: Andre Raymond - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Christophe Chaubet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Publisher: France
Identifiers: 9945821609311
Academic Unit: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Language: English
Resource Type: Patent
Patent: WO2019002453A1
Local Fields: hal-01705324