p‐Type β‐Ga2O3 Homoepitaxial Films with Superior Electrical Transport Properties

Zeyu Chi; Corinne Sartel; Vincent Sallet; Bruno Berini; Yves Dumont; Yunlin Zheng; Leonid Chernyak; Miquel Vellvehí; Amador Pérez‐tomás; Ekaterine Chikoidze

doi:10.1002/aelm.202500190

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<i>p‐</i>Type <i>β</i>‐Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Homoepitaxial Films with Superior Electrical Transport Properties

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p‐Type β‐Ga₂O₃ Homoepitaxial Films with Superior Electrical Transport Properties

Zeyu Chi, Corinne Sartel, Vincent Sallet, Bruno Berini, Yves Dumont, Yunlin Zheng, Leonid Chernyak, Miquel Vellvehí, Amador Pérez‐tomás et Ekaterine Chikoidze

Advanced Electronic Materials

19/08/2025

DOI: https://doi.org/10.1002/aelm.202500190

Résumé

electrical transport properties free hole conduction gallium oxide p-type ultra-wide bandgap

electrical transport properties

free hole conduction

gallium oxide

p-type

ultra-wide bandgap

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Détails

Titre: p‐Type β‐Ga₂O₃ Homoepitaxial Films with Superior Electrical Transport Properties
Créateurs - sans rôle: Zeyu Chi - Centre National de la Recherche Scientifique
Corinne Sartel - Centre National de la Recherche Scientifique
Vincent Sallet - Centre National de la Recherche Scientifique
Bruno Berini - Centre National de la Recherche Scientifique
Yves Dumont - Université de Montpellier, BotAnique et Modélisation de l'Architecture des Plantes et des végétations - AMAP
Yunlin Zheng - Centre National de la Recherche Scientifique
Leonid Chernyak - University of Central Florida
Miquel Vellvehí - Microelectronica
Amador Pérez‐tomás - Institut de Microelectrònica de Barcelona
Ekaterine Chikoidze - Centre National de la Recherche Scientifique
Détails de publication: Advanced Electronic Materials
Identifiants: 99131491209311
Unité académique: BotAnique et Modélisation de l'Architecture des Plantes et des végétations - AMAP
Langue: English
Type de ressource: Journal article
Champs locaux: hal-05230264