XPS studies of the ALD-growth of TaN diffusion barriers : Impact of the dielectric surface chemistry on the growth mechanism

Article de revue

Avec comité de lecture

F. Volpi, L. Cadix, G. Berthomé, E. Blanquet, N. Jourdan et J. Torres

Microelectronic engineering, Vol.85(10), pp.2068-2070

01/10/2008

Résumé

Chemical and Process Engineering

Chemical Sciences

Engineering Sciences

Material chemistry

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Titre: XPS studies of the ALD-growth of TaN diffusion barriers : Impact of the dielectric surface chemistry on the growth mechanism
Créateurs - sans rôle: F. Volpi - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
L. Cadix
G. Berthomé - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
E. Blanquet - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
N. Jourdan
J. Torres
Détails de publication: Microelectronic engineering, Vol.85(10), pp.2068-2070
Éditeur: Elsevier
Nombre de pages: 3
Identifiants: 99147520609311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Journal article