X-ray diffraction study of GaSb grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

$X-ray diffraction study of GaSb grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates$

Journal article

Peer reviewed

J.B. Rodriguez, K. Madiomanana, L. Cerutti, A. Castellano and E. Tournié

Journal of Crystal Growth, Vol.439, pp.33 - 39

2016

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Title: X-ray diffraction study of GaSb grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates
Creators - without role: J.B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
K. Madiomanana - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
L. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
A. Castellano - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
E. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Publication Details: Journal of Crystal Growth, Vol.439, pp.33 - 39
Identifiers: 9942268909311
Academic Unit: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01626675