- Title
- Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor
- Creators - without role
- J. LusakowskiW. Knap - Groupe d'étude des semiconducteursN. Dyakonova - Groupe d'étude des semiconducteursL. Varani - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierJ. MateosT. GonzalesYannick Roelens - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieS. Bollaert - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieA. Cappy - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieK. Karpierz
- Publication Details
- Journal of Applied Physics, Vol.97, pp.64307-1-7
- Identifiers
- 9937295009311
- Academic Unit
- Université de Montpellier
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-00125162
Journal article
Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor
Journal of Applied Physics, Vol.97, pp.64307-1-7
2005
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