Type-II InAsSb/InAs strained quantum-well laser diodes emitting at 3.5 μm

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A. Wilk, M. El Gazouli, M. El Skouri, Philippe Christol, P. Grech, A. N. Baranov and A. Joullié

Applied Physics Letters, Vol.77(15), pp.2298 - 2300

09/10/2000

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Title: Type-II InAsSb/InAs strained quantum-well laser diodes emitting at 3.5 μm
Creators - without role: A. Wilk - Université de Montpellier
M. El Gazouli - Université de Montpellier
M. El Skouri
Philippe Christol - Institut d'Électronique et des Systèmes
P. Grech - Institut d'Électronique et des Systèmes
A. N. Baranov - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
A. Joullié - Institut d'Électronique et des Systèmes
Publication Details: Applied Physics Letters, Vol.77(15), pp.2298 - 2300
Identifiers: 9943887709311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01756481