- Titre
- Transport characteristics of AlGaN/GaN structures for amplification of terahertz radiations
- Créateurs - sans rôle
- Harpreet Kaur - Chandigarh UniversityRajesh Sharma - Université de MontpellierT. Laurent - Université de MontpellierJ. Torres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESP. Nouvel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Palermo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Varani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESY Cordier - Centre National de la Recherche ScientifiqueM. Chmielowska - Centre National de la Recherche ScientifiqueJ.-P. FaurieB. Beaumont
- Détails de publication
- Applied physics. A, Materials science & processing, Vol.128(2)
- Identifiants
- 99152264509311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-03547770
Article de revue
Transport characteristics of AlGaN/GaN structures for amplification of terahertz radiations
Applied physics. A, Materials science & processing, Vol.128(2)
02/2022
Indicateurs
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