- Title
- Transient device simulation of neutron-induced failure in IGBT: A first step for developing a compact predictive model
- Creators - without role
- K. Guetarni - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Foro - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Privat - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Publication Details
- Microelectronics Reliability, Vol.53(9-11), pp.1293 - 1299
- Identifiers
- 9944465009311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01634072
Journal article
Transient device simulation of neutron-induced failure in IGBT: A first step for developing a compact predictive model
Microelectronics Reliability, Vol.53(9-11), pp.1293 - 1299
09/2013
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