- Titre
- Toward a better understanding of the nanoscale degradation mechanisms of ultra-thin Si0 2 /Si films: Investigation of the best experimental conditions with a conductive-atomic force microscope
- Créateurs - sans rôle
- R. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESW. Hourani - Université Claude Bernard Lyon 1Antoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. Gautier - Institut des Nanotechnologies de LyonM. Ramonda - Université de MontpellierD. Albertini - Institut des Nanotechnologies de LyonL. Militaru - Institut des Nanotechnologies de LyonY. Gonzalez-Velo - Université de MontpellierC. Guasch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- Journal of Applied Physics, Vol.110(1)
- Identifiants
- 99150510609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-01632428
Article de revue
Toward a better understanding of the nanoscale degradation mechanisms of ultra-thin Si0 2 /Si films: Investigation of the best experimental conditions with a conductive-atomic force microscope
Journal of Applied Physics, Vol.110(1)
07/2011
Indicateurs
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