- Titre
- Total Ionizing Dose Effect in LDMOS oxides and devices
- Créateurs - sans rôle
- T. Borel - Centre National de la Recherche ScientifiqueS. FuricE. LeducA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESB. Azais - Direction Générale de l'ArmementS. Danzeca - European Organization for Nuclear ResearchL. Dusseau - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- IEEE Transactions on Nuclear Science, pp.1-1
- Identifiants
- 99152161309311
- Unité académique
- Centre Spatial de l'Université de Montpellier - CSUM; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-02118616
Article de revue
Total Ionizing Dose Effect in LDMOS oxides and devices
IEEE Transactions on Nuclear Science, pp.1-1
2019
Indicateurs
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