Theoretical Investigations of Microwave Characteristics of Tunnett Diodes Made of Silicon Carbide

Article de revue

Avec comité de lecture

Nicolas Camara, V.V. Buniatyan, V.M. Aroutiounian, Konstantinos Zekentes et P. Soukiassian

Materials science forum, Vol.457-460(II), pp.977-980

01/01/2004

Résumé

Negative Resistance

Silicon Carbide (SiC)

Injection Transit-Time Diode

1 Consultations de la notice

Titre: Theoretical Investigations of Microwave Characteristics of Tunnett Diodes Made of Silicon Carbide
Créateurs - sans rôle: Nicolas Camara - Foundation for Research and Technology Hellas : MRG, IESL
V.V. Buniatyan - State Engineering University of Armenia
V.M. Aroutiounian - Yerevan State University
Konstantinos Zekentes - Foundation for Research and Technology-Hellas(FORTH) : Institute of Electronic Structure and Laser (IESL)
P. Soukiassian - Université de Paris-Sud, Orsay : Comissariat à l'Energie Atomique DSM/DRECAM/SPCSI/SIMA
Détails de publication: Materials science forum, Vol.457-460(II), pp.977-980
Éditeur: Trans Tech Publications Ltd
Nombre de pages: 4
Identifiants: 99162727509311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article