- Titre
- The atomic structure of defects formed during doping of GaN with rare earth ions
- Créateurs - sans rôle
- T. Wojtowicz - SIFCOM UMR 6176, CNRS-ENSICAEN, 14050 Caen, FranceP. Ruterana - SIFCOM UMR 6176, CNRS-ENSICAEN, 14050 Caen, FranceK. Lorenz - Instituto Tecnológico e Nuclear, EN10, 2686-953 Sacavém, PortugalU. Wahl - Instituto Tecnológico e Nuclear, EN10, 2686-953 Sacavém, PortugalE. Alves - Instituto Tecnológico e Nuclear, EN10, 2686-953 Sacavém, PortugalS. Ruffenach - GES, Université de Montpellier II, 34095 Montpellier, FranceG. Halambalakis - GES, Université de Montpellier II, 34095 Montpellier, FranceO. Briot - Université de Montpellier
- Détails de publication
- Physica status solidi. C, Vol.2(3), pp.1081-1084
- Éditeur
- WILEY-VCH Verlag
- Nombre de pages
- 4
- Identifiants
- 99163029209311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
Article de revue
The atomic structure of defects formed during doping of GaN with rare earth ions
Physica status solidi. C, Vol.2(3), pp.1081-1084
01/01/2005
Indicateurs
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