Surface passivation of GaInAsSb phodiodes with thioacetamides

Journal article

Peer reviewed

A. Salesse, A. Joullié, P. Calas, Juanjo Nieto, F. Chevrier, Y. Cuminal, G. Ferblantier and Philippe Christol

Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Vol.4(4)

30/03/2007

Abstract

heterojunction mesa photodiodes

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Title: Surface passivation of GaInAsSb phodiodes with thioacetamides
Creators - without role: A. Salesse - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
A. Joullié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
P. Calas - Université de Montpellier, Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Juanjo Nieto - Optica
F. Chevrier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Y. Cuminal - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
G. Ferblantier - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Philippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Publication Details: Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Vol.4(4)
Identifiers: 9935757309311
Academic Unit: Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-00334303