Abstract
On étudie dans cet article le photovoltage de surface obtenu par éclairement avec des photons d'énergie supérieure au gap du semiconducteur. Après avoir présenté les modèles théoriques, on calcule le photovoltage basé sur ces modèles et détermine, pour quelques cas typiques, l'évolution du photovoltage avec le taux d'injection. On analyse ensuite les résultats expérimentaux que nous avons obtenus par des mesures électriques directes (différence de potentiel de contact) du photovoltage de surface clivée de quelques semiconducteurs III-V. On montre que, moyennant quelques hypothèses simplificatrices raisonnables et des modélisations simples, on peut, à partir des courbes de photovoltage déduie des positions de l'ancrage du niveau de Fermi et des caractéristiques des états de surface.