Strain effects in GaN epilayers : Les semi-conducteurs à grande bande interdite

Article de revue

B Gil, P Lefebvre et H Morkoc

Comptes rendus de l'Académie des sciences. Série IV, Physique, astrophysique, Vol.1(1), pp.51-60

2000

Résumé

Collective excitations (including excitons, polarons, plasmons and other charge-density excitations)

Collective excitations (including plasmons and other charge-density excitations)

Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties

Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures

Exact sciences and technology

Iii-v semiconductors

Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation

Optical properties of specific thin films

Physics

Surface and interface electron states

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Titre: Strain effects in GaN epilayers : Les semi-conducteurs à grande bande interdite
Créateurs - sans rôle: B Gil - Centre national de la recherche scientifique, groupe d'étude des semi-conducteurs, Université de Montpellier II, Case courrier 074, 34095 Montpellier, France
P Lefebvre - Université de Montpellier
H Morkoc - Virginia Commonwealth University
Détails de publication: Comptes rendus de l'Académie des sciences. Série IV, Physique, astrophysique, Vol.1(1), pp.51-60
Éditeur: Elsevier
Identifiants: 99147439409311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Journal article