Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy

Journal article

Peer reviewed

K. Madiomanana, M. Bahri, J.B. Rodriguez, L. Largeau, L. Cerutti, O. Mauguin, A. Castellano, G. Patriarche and E. Tournié

Journal of Crystal Growth, Vol.413, pp.17 - 24

03/2015

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Title: Silicon surface preparation for III-V molecular beam epitaxy
Creators - without role: K. Madiomanana - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
M. Bahri - Laboratoire de Spectroscopie Atomique, Moléculaire et Applications
J.B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
L. Largeau - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
L. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
O. Mauguin - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
A. Castellano - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
G. Patriarche - Laboratoire de Photonique et de Nanostructures
E. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Publication Details: Journal of Crystal Growth, Vol.413, pp.17 - 24
Identifiers: 9938494709311
Academic Unit: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01626282