Self-organization of silicon dots grown by thermal decomposition of HSiO3/2 gels

Article de revue

Avec comité de lecture

Japanese Journal of Applied Physics, Vol.42(Part 2, No. 6A), pp.L619-L621

01/06/2003

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Titre: Self-organization of silicon dots grown by thermal decomposition of HSiO3/2 gels
Créateurs - sans rôle: Jerôme Rouquette
Monique Pauthe
Michel Ramonda
Maria Vladimirova
Bernard Gil
Détails de publication: Japanese Journal of Applied Physics, Vol.42(Part 2, No. 6A), pp.L619-L621
Identifiants: 99138979209311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Journal article