Reduction of Carrier In-Plane Mobility in Group-III Nitride Based Quantum Wells: The Role of Internal Electric Fields

Article de revue

M. Gallart, P. Lefebvre, A. Morel, T. Taliercio, B. Gil, J. Allègre, H. Mathieu, B. Damilano, N. Grandjean et J. Massies

Physica status solidi. A, Applied research, Vol.183(1), pp.61-66

01/2001

Résumé

73.21.Fg

77.65.Ly

77.84.Bw

78.47.+p

78.67.De

S7.14

1 Consultations de la notice

Titre: Reduction of Carrier In-Plane Mobility in Group-III Nitride Based Quantum Wells: The Role of Internal Electric Fields
Créateurs - sans rôle: M. Gallart - Centre National de la Recherche Scientifique
P. Lefebvre - Université de Montpellier
A. Morel - Centre National de la Recherche Scientifique
T. Taliercio - Centre National de la Recherche Scientifique
B. Gil - Université de Montpellier
J. Allègre - Case Western Reserve University
H. Mathieu - Centre National de la Recherche Scientifique
B. Damilano - Centre National de la Recherche Scientifique
N. Grandjean - Centre National de la Recherche Scientifique
J. Massies - Centre National de la Recherche Scientifique
Détails de publication: Physica status solidi. A, Applied research, Vol.183(1), pp.61-66
Éditeur: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH
Nombre de pages: 6
Identifiants: 99116827709311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article