Abstract
Cet article est consacré à l'étude de la contribution du chauffage ou d'une exposition à l'oxygène aux propriétés des surfaces (110) de GaAs et des diodes que l'on réalise sur les surfaces ainsi modifiées. On effectue une étude des modifications du travail de sortie, de la barrière et de l'affinité électronique, étude qui permet de montrer que, dès quelques dizaines de Langmuirs des états de surfaces accepteurs et donneurs sont déjà créés et modifient la barrière de façon beaucoup plus importante, toutes proportions gardées, que le chauffage à 530 °C. A plus forte exposition (2 x 104 Langmuirs) les topographies sont uniformes et l'action des défauts de clivage sur le travail de sortie et le photovoltage, est estompée. Les diodes obtenues par dépôt d'argent sur ces surfaces ont des propriétés légèrement différentes de celles obtenues par dépôt d'argent sur la surface aussitôt après clivage. Ces différences sont analysées en termes de défauts, de dipôle et de perturbation de l'interface induite par l'oxygène ou le chauffage.