- Title
- Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation
- Creators - without role
- A. Privat - Service Geologique de la Nouvelle-CalédonieAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Bourdarie - Office National d'Études et de Recherches AérospatialesJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESN. Chatry - TRAD [Labège]G. Chaumont - STMicroelectronicsE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Publication Details
- IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.60(6), pp.4166 - 4174
- Identifiers
- 9944462309311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01634014
Journal article
Post-Irradiation-Gate-Stress on Power MOSFETs: Quantification of Latent Defects-Induced Reliability Degradation
IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.60(6), pp.4166 - 4174
12/2013
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