Abstract
Deux types de photodétecteurs à Ga1-xAl xSb (x ~ 0,17) ont été fabriqués et caractérisés : des diodes mésa diffusées Zn p+/n et des hétérojonctions oxyde d'indium dopé étain (ITO)/Ga1 -xAlxSb n. L'alliage ternaire Ga1-xAlxSb était fabriqué par épitaxie en phase liquide sur des substrats de GaSb. Pour les diodes p +/n le courant inverse peut être attribué à l'effet tunnel assisté par des pièges, il a pour valeur 6 x 10-4 A/cm2 à — 1 V (Nd - Na = 1016 cm -3). La sensibilité de ces diodes dépend fortement de la profondeur de la jonction, elle est voisine de 0,32 A/W pour une profondeur de 0,5 μm. Les diodes ITO/Ga1-xAlxSb sont très analogues à des diodes Schottky. Le claquage se situe vers - 15 V à 300 K pour N d - Na = 7 x 1016 cm-3, Jinv (- 1 V) = 1,7 x 10-4 A/cm2. L'efficacité quantique est de 0,5 juste au-dessus du gap, le maximum de réponse spectrale se situe dans le visible. La discussion de ces résultats conduit à conclure que l'amélioration de ces dispositifs implique la diminution du niveau de dopage de la zone active.