Abstract
L'objet de cette communication est de présenter une caractérisation électrooptique de prototype de photomultiplicateurs solides du type photodiode Schottky ou PIN GaAs/GaAlAs à multipuits quantiques (100 Å – 100 Å) “superréseau". Ces dispositifs de structure MESA sont réalisées en Epitaxie par Jet Moléculaire (E.J.M.) au C.H.S. de Lille. C'est grâce à cette technique d'élaboration que l'on contrôle avec précision les épaisseurs de 100 Å des couches successives (Figs. 4 et 5). Ces photodétecteurs à superréseau protypes à base d'arséniure de gallium sont destinés à la photodétection de rayonnement, de longueur d'onde $\lambda = 0,8~\mu$m. Dans la première partie, nous présenterons les principes physiques des dispositifs à superréseau. Les caractèristiques courant-tension à l'obscurité et sous éclairement en polarisation inverse seront données. On déterminera le profil de concentration des impuretés par la variation de la capacité en fonction de la tension de polarisation. La troisème partie de ce travail est consacrée à l'étude du bruit blanc à l'obscurité et sous éclairement. Nous représenterons la variation de la densité spectrale de courants de bruits depuis le bruit de grenaille jusqu'au bruit de multiplication dû à l'ionisation par impact dans le superréseau. On atteindra ainsi le facteur d'excès de bruit dans le cas d'une injection de trous et d'électrons faite séparément.