Résumé
We review Raman spectroscopy of alkali-doped single-wall carbon nanotube bundles. These results are correlated to resistivity and optical absorption measurements performed on the same samples. In this review we focus on the behavior of the high-frequency tangential modes upon doping. A doping-induced upshift of the tangential modes, concomitant to a loss of absorption bands in the optical spectra and to a monotonic decrease of the resistivity, is stated. The Raman response measured on the first plateau of the resistivity curve is featured by a symmetric single component upshifted with respect to pristine sample. This response is assigned to the Raman signature of a specific doped phase, labelled phase I. By contrast the Raman response of the saturated phase, associated to a second plateau in the resistance curve, is featured by a Breit–Wigner–Fano component downshifted with respect to the pristine sample.
To cite this article: J.-L. Sauvajol et al., C. R. Physique 4 (2003).
Dans cet article nous faisons une revue des résultats de spectroscopie Raman obtenus sur les phases dopées des faisceaux de nanotubes de carbone monofeuillets. Nous mettons en relation les évolutions des spectres Raman sous l'effet du dopage avec celles de la résistivité et de l'absorption optique mesurées sur les mêmes échantillons. Nous nous focalisons sur les changements du profil des modes tangentiels induits par le dopage. Dans un premier temps, un durcissement de ces modes, concomitant avec la disparition progressive des bandes d'absorption optique et la chute de la résistivité, est clairement établi. La réponse Raman associée à un premier plateau de résistivité se caractérise par un mode unique symétrique déplacé vers les hautes fréquences par rapport à sa position de départ. Cette réponse est considérée comme la signature Raman d'une phase dopée spécifique nommée phase I. À l'opposé, la réponse Raman de la phase dopée à saturation (second plateau de résistivité) se caractérise par une forme de raie de type Breit–Wigner–Fano déplacée vers les basses fréquences par rapport à la fréquence du mode tangentiel dominant des nanotubes non dopés.
Pour citer cet article : J.-L. Sauvajol et al., C. R. Physique 4 (2003).