Abstract
Dans cet article, nous présentons une étude par la méthode des oscillations de l'intensité RHEED des mécanismes de croissance de GaSb par E.J.M. Nous avons précisé l'influence de différents paramètres (température du substrat, flux d'antimoine et de gallium, temps d'interruption de croissance) sur le régime oscillatoire et sur la stabilisation de l'intensité de la tâche spéculaire. L'analyse des courbes obtenues et leur évolution permet de corréler les résultats avec le processus de croissance et de préciser les mécanismes qui interviennent dans l'épitaxie par jets moléculaires du GaSb.