New numerical low frequency noise model for front and buried oxide trap density characterization in FDSOI MOSFETs

Journal article

Peer reviewed

J. El Husseini, Frédéric Martinez, J. Armand, M. Bawedin, M. Valenza, R. Ritzenthaler, F. Lime, B. Iñiguez, O. Faynot and C. Le Royer

Microelectronic Engineering, Vol.88(7), pp.1286-1290

07/2011

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Title: New numerical low frequency noise model for front and buried oxide trap density characterization in FDSOI MOSFETs
Creators - without role: J. El Husseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Frédéric Martinez - Institut d'Électronique et des Systèmes
J. Armand - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
M. Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
M. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
R. Ritzenthaler - Universidad Rovira i Virgili
F. Lime - Universidad Rovira i Virgili
B. Iñiguez - Universidad Rovira i Virgili
O. Faynot - CEA Grenoble
C. Le Royer - CEA Grenoble
Publication Details: Microelectronic Engineering, Vol.88(7), pp.1286-1290
Identifiers: 9937220709311
Academic Unit: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-02093037