Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology

Issam El Moukhtari; Vincent Pouget; Frédéric Darracq; Camille Larue; Philippe Perdu; D. Lewis

doi:10.1109/TNS.2012.2231437

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Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology

Article de revue

Avec comité de lecture

Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology

Issam El Moukhtari, Vincent Pouget, Frédéric Darracq, Camille Larue, Philippe Perdu et D. Lewis

IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.60(4), pp.2635-2639

2013

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2012.2231437

Résumé

Laser

NBTI

SET

Impact of NBTI degradation on the SET sensitivity of 65 nm CMOS test structures is investigated. Pre- and post-aging SET laser thresholds measurements on chains of gates indicate a decrease of SET sensitivity due to NBTI.

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Détails

Titre: Negative Bias Temperature Instability Effect on the Single Event Transient Sensitivity of a 65 nm CMOS Technology
Créateurs - sans rôle: Issam El Moukhtari - Université de Bordeaux
Vincent Pouget - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Frédéric Darracq - Centre National de la Recherche Scientifique
Camille Larue - Centre National de la Recherche Scientifique
Philippe Perdu - Centre National d'Études Spatiales
D. Lewis - Université de Bordeaux
Détails de publication: IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.60(4), pp.2635-2639
Identifiants: 99153356609311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article
Champs locaux: hal-00880480