Modeling of low frequency noise in FD SOI MOSFETs

Journal article

Peer reviewed

J. El Husseini, Frédéric Martinez, M. Valenza, R. Ritzenthaler, F. Lime, B. Iñiguez, O. Faynot, C. Le Royer and F. Andrieu

Solid-State Electronics, Vol.90, pp.116 - 120

12/2013

Files and links (1)

url

Find in HALView

1 Record Views

Title: Modeling of low frequency noise in FD SOI MOSFETs
Creators - without role: J. El Husseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Frédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
M. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
R. Ritzenthaler - Universidad Rovira i Virgili
F. Lime - Universidad Rovira i Virgili
B. Iñiguez - Universidad Rovira i Virgili
O. Faynot - CEA Grenoble
C. Le Royer - CEA Grenoble
F. Andrieu - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Publication Details: Solid-State Electronics, Vol.90, pp.116 - 120
Identifiers: 9934989809311
Academic Unit: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01617014