- Title
- Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET
- Creators - without role
- A. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Dhombres - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Dusseau - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesR. Ecoffet - Centre National d'Études Spatiales
- Publication Details
- Microelectronics Reliability, Vol.53(9-11), pp.1306 - 1310
- Identifiers
- 9939705709311
- Academic Unit
- Centre Spatial de l'Université de Montpellier - CSUM; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01634672
Journal article
Modeling dose effects in electronics devices: Dose and temperature dependence of power MOSFET
Microelectronics Reliability, Vol.53(9-11), pp.1306 - 1310
09/2013
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