- Title
- Mid-IR lasing from highly tensile-strained, type II, GaInAs/GaSb quantum wells
- Creators - without role
- A. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IEST. Taliercio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. N. Baranov - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Publication Details
- Electronics Letters, Vol.45(25)
- Identifiers
- 9946663809311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01617854
Journal article
Mid-IR lasing from highly tensile-strained, type II, GaInAs/GaSb quantum wells
Electronics Letters, Vol.45(25)
2009
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