- Titre
- Measurement and calculation of charge deposition in a silicon diode irradiated by 30 MeV protons
- Créateurs - sans rôle
- Simon Rocheman - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Roch Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESCécile Weulersse - Institut PasteurNadine Buard - Institut PasteurFlorent Miller - Institut PasteurThierry Carrière - Arianespace
- Détails de publication
- Journal of Applied Physics, Vol.104(9)
- Identifiants
- 99152745709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-01630112
Article de revue
Measurement and calculation of charge deposition in a silicon diode irradiated by 30 MeV protons
Journal of Applied Physics, Vol.104(9)
11/2008
Indicateurs
1 Consultations de la notice