Abstract
Un certain nombre de techniques, dont l'effet de champ, permettent de rendre la densité des porteurs libres en surface différente de celle en volume, tout en respectant les conditions de micro-équilibre thermodynamique, ce qui rend valable l'utilisation de la théorie de la recombinaison de Shockley et Read. A partir de mesures de variation de conductivité et de décroissance de photoconductivité en fonction de l'effet de champ, il est possible de déterminer la densité des centres de recombinaison superficielle, leur niveau d'énergie et les probabilités de capture par ces centres d'un électron ou d'un trou.