- Titre
- Low frequency noise of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
- Créateurs - sans rôle
- A. Pénarier - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierF. Pascal - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierSylvie Jarrix - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierC. Delseny - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierM. Riet - Alcatel LucentS. Blayac - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
- Détails de publication
- Japanese Journal of Applied Physics, part 1 : Regular papers, Short Notes, Vol.140, pp.525-529
- Identifiants
- 9947198009311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-00323749
Article de revue
Low frequency noise of InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
Japanese Journal of Applied Physics, part 1 : Regular papers, Short Notes, Vol.140, pp.525-529
2001
Indicateurs
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