Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistors with 50-nm gate length

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M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, R. Tauk, S. Boubanga, N. Dyakonova, W. Knap, A. Shchepetov, S. Bollaert, Yannick Roelens and M.S. Shur

Journal of Applied Physics, Vol.102(6)

2007

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Title: Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistors with 50-nm gate length
Creators - without role: M.E. Levinshtein - Centre National de la Recherche Scientifique
S.L. Rumyantsev - Université de Montpellier
R. Tauk - Centre National de la Recherche Scientifique
S. Boubanga - Université de Montpellier
N. Dyakonova - Université de Montpellier
W. Knap - Université de Montpellier
A. Shchepetov - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie
S. Bollaert - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie
Yannick Roelens - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie
M.S. Shur - Rensselaer Polytechnic Institute
Publication Details: Journal of Applied Physics, Vol.102(6)
Identifiers: 9937294909311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-00283040