Low electron mobility of field-effect transistor determined by modulated magnetoresistance

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R. Tauk, J. Lusakowski, W. Knap, A. Tiberj, Z. Bougrioua, M. Azize, P. Lorenzini, M. Sakowicz, K. Karpierz, C. Fenouillet-Beranger, …

Journal of Applied Physics, Vol.102(10)

2007

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Title: Low electron mobility of field-effect transistor determined by modulated magnetoresistance
Creators - without role: R. Tauk - Groupe d'étude des semiconducteurs
J. Lusakowski - Groupe d'étude des semiconducteurs
W. Knap - Groupe d'étude des semiconducteurs
A. Tiberj - Groupe d'étude des semiconducteurs
Z. Bougrioua - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologie
M. Azize
P. Lorenzini
M. Sakowicz
K. Karpierz
C. Fenouillet-Beranger
M. Casse
C. Gallon
F. Boeuf
T. Skotnicki
Publication Details: Journal of Applied Physics, Vol.102(10)
Identifiers: 9942631409311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-00389540