Long-wavelength (Ga,In)Sb/GaSb strained quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy

Article de revue

Avec comité de lecture

N Bertru, A Baranov, Y Cuminal, G Almuneau, F Genty, A Joullie, O Brandt, A Mazuelas et K. H Ploog

Semiconductor science and technology, Vol.13(8), pp.936-940

01/08/1998

Résumé

Applied sciences

Electronics

Exact sciences and technology

Optoelectronic devices

Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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Titre: Long-wavelength (Ga,In)Sb/GaSb strained quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy
Créateurs - sans rôle: N Bertru - Université de Montpellier
A Baranov - CEM2, Case Courier 067, Université de Montpellier II, UMR CNRS n°5507, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
Y Cuminal - Université de Montpellier
G Almuneau - CEM2, Case Courier 067, Université de Montpellier II, UMR CNRS n°5507, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
F Genty - CEM2, Case Courier 067, Université de Montpellier II, UMR CNRS n°5507, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
A Joullie - CEM2, Case Courier 067, Université de Montpellier II, UMR CNRS n°5507, Place Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
O Brandt - Paul-Drude-lnstitut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany
A Mazuelas - Paul-Drude-lnstitut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany
K. H Ploog - Paul-Drude-lnstitut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany
Détails de publication: Semiconductor science and technology, Vol.13(8), pp.936-940
Éditeur: Institute of Physics
Nombre de pages: 5
Identifiants: 99162126109311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article