Abstract
Nous décrivons la méthode de fabrication et les propriétés photoélectriques de trois types de diodes fabriquées à partir de couches de Ga0,96Al 0,04Sb déposées par épitaxie en phase liquide sur substrat n + GaSb. 1) Dans les jonctions p+ /n diffusées Zn la conduction inverse, avant avalanche, est dominée par l'effet tunnel (J(- 5 V) = 8,1 × 10-1 A/cm2). 2) Dans les jonctions p/n épitaxiées on observe une réduction du courant inverse (J(- 5 V) = 2,4 x 10 -2 A/cm2) qui peut être associée à une diminution du dopage effectif dans ce type de diode. Les rendements externes à 1,55 μm de ces deux dispositifs sont voisins de 0,27. 3) Les premiers dispositifs planar diffusés Zn sont de moins bonne qualité en relation probable avec des fronts de diffusion mal définis en bord de fenêtre. L'obtention d'un dispositif avalanche performant (NEP = 8,4 x 10-12 W/ √Hz) à partir des jonctions épitaxiées est conditionnée à la réduction des courants de fuite de surface.