- Title
- Investigation of 1/f noise in germanium-on-insulator 0.12μm PMOS transistors from weak to strong inversion
- Creators - without role
- F. Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Soliverès - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - CEA GrenobleE. Augendre - CEA LETIK. Romanjek - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesC. Drazek - Soitec
- Publication Details
- Solid-State Electronics, Vol.53(12), pp.1268 - 1272
- Identifiers
- 9943934009311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01653006
Journal article
Investigation of 1/f noise in germanium-on-insulator 0.12μm PMOS transistors from weak to strong inversion
Solid-State Electronics, Vol.53(12), pp.1268 - 1272
12/2009
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