- Titre
- Influence of the surrounding ambient on the reliability of the electrical characterization of thin oxide layers using an atomic force microscope
- Créateurs - sans rôle
- W. Hourani - Franche-Comté Électronique Mécanique Thermique et Optique - Sciences et TechnologiesB. Gautier - Centre National de la Recherche ScientifiqueL. Militaru - Institut des Nanotechnologies de LyonD. Albertini - Institut des Nanotechnologies de LyonA. Descamps-Mandine - Centre National de la Recherche ScientifiqueR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- Microelectronics Reliability, Vol.51(12), pp.2097 - 2101
- Identifiants
- 99150511109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-01632450
Article de revue
Influence of the surrounding ambient on the reliability of the electrical characterization of thin oxide layers using an atomic force microscope
Microelectronics Reliability, Vol.51(12), pp.2097 - 2101
12/2011
Indicateurs
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