Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

Article de revue

Avec comité de lecture

M. Jayasakthi, Sandrine Juillaguet, Herve Peyre, Leszek Konczewicz, K. Baskar et Sylvie Contreras

Superlattices and Microstructures, Vol.98, pp.515-521

10/2016

Résumé

AFM

HRXRD

MOCVD

AlGaN

Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD

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Titre: Influence of AlN thickness on AlGaN epilayer grown by MOCVD
Créateurs - sans rôle: M. Jayasakthi - Anna University, Chennai
Sandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Herve Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Leszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
K. Baskar - Anna University, Chennai
Sylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Détails de publication: Superlattices and Microstructures, Vol.98, pp.515-521
Identifiants: 99150952009311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Journal article
Champs locaux: hal-01407865