- Title
- Improvement of the crystalline, optical and electrical quality of MOVPE GaInSb layers
- Creators - without role
- G. Bougnot - Institut d'Électronique et des SystèmesF. Delannoy - Institut d'Électronique et des SystèmesF. Pascal - Centre National de la Recherche ScientifiqueP. Grosse - Institut d'Électronique et des SystèmesAlain Giani - Centre National de la Recherche ScientifiqueJ. Kaoukab - Centre National de la Recherche ScientifiqueJ. Bougnot - Institut d'Électronique et des SystèmesR. Fourcade - Université de Montpellier, Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGMP. Walker - University of OxfordJ. Mason - Institut de Chimie de StrasbourgB. Lambert
- Publication Details
- Journal of Crystal Growth, Vol.107(1-4), pp.502-508
- Identifiers
- 9933871009311
- Academic Unit
- Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-02048002
Journal article
Improvement of the crystalline, optical and electrical quality of MOVPE GaInSb layers
Journal of Crystal Growth, Vol.107(1-4), pp.502-508
01/1991
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