Improved 1/f noise characterization of strained SiGe on insulator MOSFETs fabricated on wafers obtained by the Ge enrichment technique

Journal article

Peer reviewed

M. Valenza, J. El Husseini, Frédéric Martinez, M. Bawedin, C. Le Royer and J. Damlencourt

Solid-State Electronics, Vol.70, pp.27-32

04/2012

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Title: Improved 1/f noise characterization of strained SiGe on insulator MOSFETs fabricated on wafers obtained by the Ge enrichment technique
Creators - without role: M. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
J. El Husseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Frédéric Martinez - Institut d'Électronique et des Systèmes
M. Bawedin - Institut d'Électronique et des Systèmes
C. Le Royer - CEA Grenoble
J. Damlencourt - Institut polytechnique de Grenoble
Publication Details: Solid-State Electronics, Vol.70, pp.27-32
Identifiers: 9944415609311
Academic Unit: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-02092993