- Title
- Impact of Single Event Gate Rupture and Latent Defects on Power MOSFETs Switching Operation
- Creators - without role
- A. Privat - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESMickael Petit - Institut d'Électronique et des SystèmesJ.-J. Huselstein - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Forest - Institut de Recherche en Astrophysique et PlanétologieJ.-R. Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Bourdarie - Office National d'Études et de Recherches AérospatialesR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESN. Chatry - TRAD [Labège]G. Chaumont - STMicroelectronicsE. Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Publication Details
- IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.61(4), pp.1856 - 1864
- Identifiers
- 9963996709311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01635047
Journal article
Impact of Single Event Gate Rupture and Latent Defects on Power MOSFETs Switching Operation
IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.61(4), pp.1856 - 1864
08/2014
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