Résumé
Experiments conducted at high and low dose rates show that the total dose response of bipolar linear integrated circuits is influenced by mechanical stress. The role of mechanical stress on enhanced low dose rate sensitivity is discussed.
- Titre
- Impact of Mechanical Stress on Total-Dose Effects in Bipolar Transistors
- Créateurs - sans rôle
- J. Boch - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804R. CizmarikR.D. SchrimpfD.M. FleetwoodFrédéric Saigné - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication
- Détails de publication
- IEEE transactions on nuclear science, Vol.50(6), pp.2335-2340
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Identifiants
- 99139290609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article