Impact ionization resonance and Auger recombination in Hg1-xCdxTe (O.6 X O.7)

Article de revue scientifique

Avec comité de lecture

G. P Lecoy, B Orsal et R Alabedra

IEEE journal of quantum electronics, Vol.23(7), p.1145-1154

01/07/1987

Résumé

Applied sciences

Electronics

Exact sciences and technology

Optoelectronic devices

Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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Titre: Impact ionization resonance and Auger recombination in Hg1-xCdxTe (O.6 X O.7)
Créateurs - sans rôle: G. P Lecoy - Univ. sci. tech. Languedoc, cent. electronique Montpellier, Montpellier 34060, France
B Orsal - Univ. sci. tech. Languedoc, cent. electronique Montpellier, Montpellier 34060, France
R Alabedra - Univ. sci. tech. Languedoc, cent. electronique Montpellier, Montpellier 34060, France
Détails de publication: IEEE journal of quantum electronics, Vol.23(7), p.1145-1154
Éditeur: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Nombre de pages: 10
Identifiants: 99233840109311
Unité académique: IES - Institut d'Electronique et des Systèmes
Langue: Anglais
Type de ressource: Article de revue scientifique