III–V nitrides: wurtzite symmetry and optical absorption

P. Bigenwald; P. Christol; L. Konczewicz; P. Testud; B. Gil

doi:10.1016/S0921-5107(97)00183-9

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III–V nitrides: wurtzite symmetry and optical absorption

Article de revue

Avec comité de lecture

III–V nitrides: wurtzite symmetry and optical absorption

P. Bigenwald, P. Christol, L. Konczewicz, P. Testud et B. Gil

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.50(1), pp.208-211

18/12/1997

DOI: https://doi.org/10.1016/S0921-5107(97)00183-9

Résumé

Matrix elements

Nitrides systems

Optical properties

We report here on the study of the theoretical optical properties of Ga based nitrides systems. The dipolar matrix elements and hole effective masses are presented as a function of the reciprocal wavevector for strained bulk GaN. We compute then the A, B and C exciton binding energies for strained GaN/Al 0.2Ga 0.8N quantum structures and present the calculated optical density for a 50 Å wide well.

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Détails

Titre: III–V nitrides: wurtzite symmetry and optical absorption
Créateurs - sans rôle: P. Bigenwald - Laboratoire de Physique des Matériaux, Université d'Avignon et Pays de Vaucluse, 33 rue Louis Pasteur, 84000 Avignon, France
P. Christol - Laboratoire de Physique des Matériaux, Université d'Avignon et Pays de Vaucluse, 33 rue Louis Pasteur, 84000 Avignon, France
L. Konczewicz - Laboratoire de Physique des Matériaux, Université d'Avignon et Pays de Vaucluse, 33 rue Louis Pasteur, 84000 Avignon, France
P. Testud - Laboratoire de Physique des Matériaux, Université d'Avignon et Pays de Vaucluse, 33 rue Louis Pasteur, 84000 Avignon, France
B. Gil - Université de Montpellier
Détails de publication: Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.50(1), pp.208-211
Éditeur: Elsevier B.V
Nombre de pages: 4
Identifiants: 99147508309311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Journal article