- Title
- Highly tensile-strained, type-II, Ga1−xInxAs/GaSb quantum wells
- Creators - without role
- T. Taliercio - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Luna - Paul Drude Institute for Solid State ElectronicsA. Trampert - Paul Drude Institute for Solid State ElectronicsE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Publication Details
- Applied Physics Letters, Vol.96(6)
- Identifiers
- 9946778909311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01618751
Journal article
Highly tensile-strained, type-II, Ga1−xInxAs/GaSb quantum wells
Applied Physics Letters, Vol.96(6)
08/02/2010
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