- Titre
- High fluence 1.8MeV proton irradiation effects on n-type MOS capacitors
- Créateurs - sans rôle
- R. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE.X. Zhang - Institut polytechnique de GrenobleN. Rezzak - Vanderbilt UniversityR.D. Schrimpf - Vanderbilt UniversityD.M. Fleetwood - Vanderbilt UniversityB.K. Choï - Vanderbilt UniversityA.B. Hmelo - Vanderbilt UniversityJ. Mekki - European Organization for Nuclear ResearchAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- Microelectronics Reliability, Vol.51(12), pp.2093 - 2096
- Identifiants
- 99150630709311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-01632432
Article de revue
High fluence 1.8MeV proton irradiation effects on n-type MOS capacitors
Microelectronics Reliability, Vol.51(12), pp.2093 - 2096
12/2011
Indicateurs
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