Hetero-epitaxy of ZnSiAs2/GaAs grown by atmospheric pressure MOVPE

Journal article

Peer reviewed

N. Achargui, A. Benachenhou, A. Foucaran, G. Bougnot, P. Coulon, J. Laurenti and J. Camassel

Journal of Crystal Growth, Vol.107(1-4), pp.410 - 415

01/1991

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Title: Hetero-epitaxy of ZnSiAs2/GaAs grown by atmospheric pressure MOVPE
Creators - without role: N. Achargui - Institut d'Électronique et des Systèmes
A. Benachenhou - Institut d'Électronique et des Systèmes
A. Foucaran - Institut d'Électronique et des Systèmes
G. Bougnot - Institut d'Électronique et des Systèmes
P. Coulon - Groupe d'étude des réseaux moteurs - GERM
J. Laurenti
J. Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
Publication Details: Journal of Crystal Growth, Vol.107(1-4), pp.410 - 415
Identifiers: 9939409509311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01787502