Growth parameters effect on the electric and thermoelectric characteristics of Bi2Se3 thin films using ditertiarybutylselenide as precursor by MOCVD system.

Article de revue

Avec comité de lecture

A. Al Bayaz, Alain Giani, M.C Artaud-Gillet, A. Foucaran, F. Pascal-Delannoy et Alexandre Boyer

Journal of Crystal Growth, Vol.241(4), pp.463-470

2002

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Titre: Growth parameters effect on the electric and thermoelectric characteristics of Bi2Se3 thin films using ditertiarybutylselenide as precursor by MOCVD system.
Créateurs - sans rôle: A. Al Bayaz - Centre National de la Recherche Scientifique
Alain Giani - Université de Montpellier
M.C Artaud-Gillet - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
A. Foucaran - Université de Montpellier
F. Pascal-Delannoy - Université de Montpellier
Alexandre Boyer - Université de Montpellier
Détails de publication: Journal of Crystal Growth, Vol.241(4), pp.463-470
Identifiants: 9942823409311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article
Champs locaux: hal-00324041